本實用新型公開了一種帶結溫監控的MOSFET間歇壽命試驗系統的電路控制結構,包括用于生產穩點電壓信號的信號源,信號源的輸出端與用于固定測試電路的老化板的輸入端電性連接,老化板包括上分別固定有信號源采集電路、被測電路、VH信號采集電路和VM信號采集電路,VH信號采集電路的輸出端輸出端和VM信號采集電路的輸出端分別與上位機的信號輸入端電性連接。本實用新型克服了傳統的MOSFET間歇壽命試驗中由于沒有設置結溫監控導致在試驗中易出現器件失效的風險的問題。本實用新型具有采集數據方便、計算數據方便和測量精度較高等優點。
聲明:
“帶結溫監控的MOSFET間歇壽命試驗系統的電路控制結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)