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    MTP器件及其制造方法

    1182   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 09:20:08
    本發明公開了一種MTP器件,包括:作為選擇管、存儲管和字線管的第一至三NMOS管都形成于P阱中,位于中間的第二NMOS管的多晶硅柵為多晶硅浮柵,多晶硅浮柵的第一延伸端形成編程耦合結構,第二延伸端形成擦除結構;多晶硅浮柵的第二延伸端跨越由第一N阱組成的第一有源區;擦除結構還包括第一P+區和第一N+區,兩注入區在沿和多晶硅浮柵的第二延伸端平行的方向上相互交疊于第一有源區,交疊區大小根據第一N+區和第一有源區的套刻精度確定,保證在套刻偏差最大的條件下能實現有效擦除的交疊結構。本發明還公開了一種MTP器件的制造方法。本發明能提高器件的擦除效率,防止MTP擦除失敗以及由此而帶來的測試失效的問題。
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