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    基于SiC MOSFET損耗模型的開關過熱保護方法

    1062   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 09:37:11
    本發明公開了基于SiC MOSFET損耗模型的開關過熱保護方法,開關為SiC MOSFET,包括以下步驟:構建所述SiC MOSFET的損耗模型,通過采集所述SiC MOSFET的采樣電信號,估算所述SiC MOSFET的損耗;基于器件損耗和穩態熱網絡,通過采集高速/超高速電機控制器上開關器件的散熱器的表面溫度,估算SiC MOSFET的結溫,并與預設的保護閾值進行比較,根據比較結果,對SiC MOSFET進行過熱保護;系統包括DSP控制芯片、柵極驅動芯片、三相兩電平逆變器、信號采樣電路、散熱及測溫模塊,DSP控制芯片用于執行開關過熱保護方法;本發明避免器件因過熱而失效甚至發生爆炸,危害系統的安全運行。
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