本發明公開了一種分辨SiC MOSFET在體二極管重復浪涌電流下退化原因的方法,通過單次浪涌電流實驗確定SiC MOSFET體二極管的單次浪涌電流能力,測量SiC MOSFET的靜態特性和動態特性,進行重復浪涌電流試驗,比較浪涌電流實驗后SiC MOSFET的靜態特性、動態特性以及提取的參數的退化,分辨器件的退化原因,確定SiC MOSFET的退化原因中是否包含雙極退化,比較體二極管特性以或體二極管壓降的變化,確定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封裝退化,是否包含柵氧退化,比較小電流下的轉移特性或閾值電壓的變化,實現了退化原因的有效解耦,有利于了解器件的失效機理。
聲明:
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