本發明提供了電子輻照下SiC MOSFET閾值電壓恢復方法及裝置,屬于SiC MOSFET的閾值電壓恢復領域,方法包括:將待恢復的SiC MOSFET裸芯片固定,且將待恢復的SiC MOSFET裸芯片的各電極引出;對待恢復的SiCMOSFET裸芯片進行若干次連續電子輻照;電子輻照后,測量待恢復的SiCMOSFET閾值電壓,當實際閾值電壓與健康閾值電壓相比較,若兩者相等,則停止對待恢復的SiC MOSFET裸芯片的電子輻照;否則,繼續對待恢復的SiC MOSFET裸芯片進行電子輻照;本發明實現了失效SiC MOSFET的回收再利用。
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