本發明公開了一種離子注入機穩定性的監控方法,包括以下步驟:S1、先取光硅片,并生長氧化層;S2、對生長氧化層的光硅片進行離子注入,且將離子注入的濃度峰值注入在硅和氧化層的交界面;S3、進行快速熱處理,激活雜質,形成導電層;S4、去除氧化層;S5、對去除氧化層的導電層進行電阻值的測試,確認電阻穩定性;S6、對導電層進行多次定頻監控;本發明改變現有的注入機臺監控方式,對注入機能量和劑量的穩定性監控都能起到很好的作用,大大降低因機臺的波動而造成批量產品的失效報廢的機率,具有良好的市場應用價值。
聲明:
“離子注入機穩定性的監控方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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