本發明涉及氣相沉技術領域，特別涉及一種碳化硅化學氣相沉積爐的進氣裝置。
背景技術：
化學氣相沉積(chemicalvapourdeposition，cvd)常用來生產各種高純固體材料?；瘜W氣相沉積碳化硅是通過含有硅、碳元素的小分子前驅物在沉積室內一定條件下分解、反應生成的薄膜材料。一甲基三氯硅烷(mts)是一種工業上常用的化學氣相沉積碳化硅液態前驅物，反應方程式如下：ch3sicl3→sic+3hcl，在制備過程中通常會用到氫氣和氬氣，其中氫氣參與中間反應過程，作為反應氣體使用，氬氣經常作為稀釋氣體使用。
目前，存在若干種辦法向沉積室供應mts蒸汽：第一種是鼓泡法，鼓泡法是將載氣(氫氣)通到mts前驅物中利用載氣產生的氣泡將前驅物蒸汽帶到沉積室內；第一種方法的優點是載氣的比熱容大，在輸送前驅物的過程中前驅物不容易液化；而該方法的缺點：產生的混合蒸汽包含載氣和前驅物兩種成分，需要根據鼓泡室的溫度和壓力來確定二者的比例，鼓泡容器的形狀也會影響二者的比例；而且隨著前驅物的消耗，鼓泡容器內的空間也會發生變化，前驅物的蒸發速率會有一定的變化，導致載氣和前驅物的比例發生變化，在實踐中很難精確控制載氣和前驅物的比例。第二種是通過加熱蒸發mts前驅物，并將所得蒸氣供應到沉積室，其中通過質量流量控制器(mfc)控制流量；第二種方法優點是可以在單位時間產生大量的前驅體蒸汽，也便于調節mts與氫氣的比例；缺點是加熱的前驅體蒸汽在輸送過程中容易液化堵塞管道。第三種是將mts以液體形式供應至蒸發室，其中通過液體質量流量控制器(lmfc)控制流量，然后mts在使用時由容器蒸發得到蒸氣供給到沉積室。第三種方法可以精確控制mts的流量，但是在蒸發室內產生的蒸汽容易形成懸浮小液滴，因此供給到沉積室內的mts氣體量小于供給的mts液體量。上述幾種方法在實踐中也容易產生氣溶膠(懸浮的小液滴)將mts中的雜質帶入沉積室內影響碳化硅產品的純度。
技術實現要素：
本發明提供了一種碳化硅化學氣相沉積爐的進氣裝置，其目的是為了解決傳統供氣方法氣體比例不確定、氣體容易冷凝堵塞管道、氣體容易產生氣凝膠影響碳化硅產品質量等問題。
為了達到上述目的，本發明的實施例提供了一種碳化硅化學氣相沉積爐的進氣裝置，包括：儲液室、汽化室、混合室和稀釋室，所述儲液室設置有一注液口，所述混合室設置有一混合管道，所述稀釋室設置
聲明：
“碳化硅化學氣相沉積爐的進氣裝置的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：湖南鎧欣新材料科技有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
