DE500P 電子束蒸發鍍膜系統配置兩個電子束蒸發源,可在基片共蒸發沉積金屬、半導體或介質材料。
典型應用
適用于量產
LIFT-OFF工藝鍍膜
可蒸發金屬、半導體或介質材料
可蒸發磁性材料
可雙源共蒸發
可選RF等離子體或離子源基片清洗
可選基片氧化
主要配置
蒸發腔體:不銹鋼腔體
真空閥門:高真空閥門
真空測量:寬量程真空計
蒸發源:兩個電子束蒸發源
樣品臺:
公轉/自轉基片臺
(可選加熱至300℃)
膜厚檢測:晶振速率膜厚監控
主要技術指標
極限真空度:5E-8 Torr
基片尺寸:可選:2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
片內膜厚均勻性:≤+/-3%
片間膜厚重復性:≤+/-2%
蒸發速率分辨率:0.01 A/s
膜厚分辨率:0.1 A