設備介紹
CVD 成長系統是利用氣態化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發生化學反應，從而在基體表面上生成不揮發涂層的一種薄膜材料制備系統，它由真空管式爐，多通道氣路系統和真空系統組成。CVD真空系統可選配分子泵系統或旋片泵系統，最高真空度可達 10*-5pa， 多路氣源混合系統可選配浮子流量計或質子流量計，量程范圍大，控制精度高; 本系列化學氣相沉積系統另有多種功能接受客戶要求定制。該cvd設備適用于 CVD 工藝，如
碳化硅鍍膜、陶瓷基 片導電率測試、ZnO 納米結構的可控生長、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結等實驗。
產品優勢
耐高溫節能爐膛
爐膛采用多晶纖維材料，保溫性能好，拉伸強度高，無雜球，純度高，節能效果明顯優于國內纖維材料
爐體安全防燙設計
爐體采用雙層內膽式結構，中間有氣隙隔離，即使爐膛溫度達到最高點， 爐體表面仍然可以安全觸摸無滾燙感覺
加熱狀態便于觀察
爐體配有輸出電壓和輸出電流監測表，爐子加熱狀態一目了然
多重安全防護功能
超溫報警并斷電，漏電保護，操作安全可靠具有多重防護功能
快速升降溫功能
帶滑道，可滑動爐膛，實現快速升溫或冷卻功能
智能化PID微電腦溫控
智能化 30 段 PID 微電腦可編程自動控制，溫控精度可達±1℃
技術參數
產品名稱 CVD 化學氣相沉積系統
產品型號 KJ-TCVD1100-S60CK1
管式加熱系統
滑道 帶滑道，可滑動爐膛，實現快速升溫或冷卻功能
加熱區長度 400mm 單溫區 (其他尺寸可按客戶需求定制)
爐管尺寸 60mm x(1200~1400mm) 外徑 x 長 (其他尺寸可按客戶需求定制)
爐管材質 高純石英管
工作溫度 ≤ 1100℃
溫控系統 智能化 30 段 PID 微電腦可編程自動控制
溫控精度 ±1℃ (具有超溫及斷偶報警功能)
加熱速率 建議 0~10℃/min
加熱元件 電阻絲
可通氣體 氮氣、氬氣等惰性氣體
測溫元件 N型熱電偶
殼體結構 雙層殼體結構帶風冷系統
真空法蘭 法蘭一端帶 1/4”卡套接頭進氣口，另一端帶控壓 閥,氣動泄壓閥和放氣閥。
供氣系統 四路精密質子流量計：測量精度： ±1% F.S.
流量 范圍: : 0~200 sccm (按客戶要求 )
流量 范圍: : 0~200 sccm (按客戶要求)
流量 范圍: : 0~200 sccm (按客戶要求)
流量 范圍: : 0~500 sccm (按客戶要求)
通過觸屏來調節氣體流量
真空系統 旋片泵，真空度在空爐冷態可達 1pa，
真空計：進口數顯真空計實時顯示真空度，精度高。
氣體定量系統 整體可以控制壓力范圍 -20kpa 到 20 kpa (相對壓力)
自動化控制觸摸屏 觸摸屏界面集成控制爐子，
真空泵，質量流量計以氣體定量系 統。爐子部分需要先設好溫度時間曲線。集成控制部分可以控制 溫度曲線的啟停，真空度，氣體流量,泄壓閥等。
化學氣相沉積所用的反應體系必須滿足以下三個條件：
1、在沉積溫度下，反應物必須有足夠高的蒸汽壓。假如反應物在室溫下全部為氣態，沉積裝置就比較簡單;假如反應物在室溫下揮發性很小，就需要對其加熱，使其揮發，而且一般還要用運載氣體把它帶入反應室，這樣反應源到反應室的管道也需要加熱，以防止反應氣體在管道中冷凝下來。
2、反應的生成物，除了所需要的沉積物為固態薄膜外，其余都必須是氣態。
3、沉積薄膜的蒸汽壓應足夠低，以保證在整個沉積反應過程中，沉積的薄膜能維持在具有一定溫度的基體上?；w材料在沉積溫度下的蒸汽壓也必須足夠低。
化學氣相沉積的原理：
化學氣相沉積技術是應用氣態物質在固體上產生化學反應和傳輸反應等并產生固態沉積物的一種工藝，它大致包含三步：
(1)形成揮發性物質
(2)把上述物質轉移至沉積區域;
(3)在固體上產生化學反應并產生固態物質。
基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中。
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湖南 - 長沙
2025年08月07日 ~ 09日
