本發明涉及一種基于軋膜工藝的PZT基反鐵電材料及其制備方法,所述的材料是以鈣鈦礦結構PZT體系為基體,將La和Sn分別部分代替Pb和Zr進入基體,化學成分符合化學通式(Pb1?aLa2a/3)(Zr1?x?ySnxTiy)O3,其中,a的取值范圍為0<a≤0.06,x的取值范圍為0<x<1.0,y的取值范圍為0<y<1.0;制備方法主要步驟包括粉體和粘結劑制備、配料、混煉、粗軋、精軋和膜切,最后排膠、燒結,根據需要鍍或者濺射不同電極或疊層。與現有技術相比,本發明制備的反鐵電材料具有很高的擊穿場強(≥200kV/cm)和儲能密度(2J/cm3?4.2J/cm3),制備工藝簡單,操作簡便,成本較低,適合工業生產。
聲明:
“基于軋膜工藝的PZT基反鐵電材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)