本發明公開了一種利用PLD制備Al摻雜Hf0.5Zr0.5O2鐵電薄膜電容器的方法,屬于導電材料技術領域。本發明所述方法通過使用脈沖激光沉積方法沉積薄膜,控制激光能量密度、襯底溫度、氧分壓、沉積時間等研究Al摻雜Hf0.5Zr0.5O2鐵電薄膜的生長工藝與特性,并最終得到TiN/Al?Hf0.5Zr0.5O2/TiN/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM結構電容器。本發明制備的鐵電薄膜,與現有技術的鈣鈦礦結構的鐵電薄膜相比,具有與CMOS器件的兼容性好、可集成性高、鐵電層厚度尺寸小、熱穩定性好和化學穩定性高的特點,經過高溫快速退火處理工藝后的薄膜,具有介電常數大、剩余極化強度大、漏電流小的優點。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)