本發明涉及用于半導體材料外延生長的襯底,特別涉及一種生長氮化鎵晶體的復合襯底及其制備方法。該復合襯底材料由摻雜藍寶石基底和覆蓋在摻雜藍寶石基底上的導電層組成,其中摻雜藍寶石基底由石墨烯和稀土金屬摻雜藍寶石組成,導電層是含有高熔點金屬或合金的薄片,通過真空處理使導電層與摻雜藍寶石基底鍵合在一起,冷卻即得生長氮化鎵晶體的復合襯底。本發明采用摻雜改性的藍寶石作為基底,解決了普通藍寶石襯底用于生長氮化鎵基半導體材料存在的晶格不匹配及熱失配等問題,從而降低了現有氮化鎵基半導體生長襯底的成本,同時提高了其后續生長的氮化鎵基半導體材料的質量。
聲明:
“生長氮化鎵晶體的復合襯底及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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