權利要求書： 1.一種組合物，其包含(i)包含金屬氧化物作為基質材料的基質，所述金屬氧化物包含至少兩種金屬M1和M2和(ii)在所述基質中活動的金屬M3其中?M1與M2的原子比在75:25至99.99:0.01的范圍內；?M1、M2和M3的價態都是正數；?M1的價態大于M2的價態；?M2的價態等于或大于M3的價態；且?金屬M1、M2和M3不同，其中M1選自Si和Ge，M2選自Al、Ga、In、Tl、Sc、Y、La、Ac或其混合物；M3選自Ag和Cu，其中基于所述組合物的總重量計，不同于M1、M2和M3的金屬的總濃度低于100ppm。2.根據權利要求1的組合物，其中M3在所述組合物中的擴散系數與M2在所述組合物中的擴散系數的比率為至少1000:1。3.根據權利要求1的組合物，其中M1的價態為+III、+I或+。4.根據權利要求1的組合物，其中M1是Si。5.根據權利要求1的組合物，其中M2選自Al和Ga。6.根據權利要求1的組合物，其中M3是Cu。7.根據權利要求1的組合物，其中?M2的量為所述組合物中存在的金屬總量的0.01至25原子％；和/或?M3的量為所述組合物中存在的金屬總量的0.01至10原子％。8.一種生產根據權利要求1至7之一的組合物的方法，其包含下列步驟a)提供M1的多孔氧化物；b)用M2的液體前體浸潤M1的多孔氧化物；c)用M3的液體前體浸潤M1的多孔氧化物；由此步驟b)和c)可以同時或相繼進行；d)任選地，干燥在用M2的液體前體和M3的液體前體浸潤M1的多孔氧化物后獲得的產物；e)任選地，在氧化氣氛中在低于M1的氧化物的轉變溫度的溫度下煅燒在步驟d)，如果存在，或步驟c)中獲得的產物；f)將在步驟d)中獲得的產物加熱到M1的氧化物的轉變溫度以上的溫度。9.一種生產根據權利要求1至7之一的組合物的方法，其中所述組合物通過原子層沉積(ALD)或化學氣相沉積(CD)制備。10.根據權利要求9的方法，其中通過原子層沉積(ALD)或化學氣相沉積(CD)制備的所述組合物的層厚度為1至100nm。11.通過根據權利要求8的方法獲得的產物作為用于物理氣相沉積(PD)法的濺射靶的用途。12.根據前述權利要求1至7任一項的組合物或在權利要求8至10任一項的方法中獲得的組合物作為阻變元件的用途。 說明書：
聲明：
“用于RERAM的固體電解質” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：管理員
來源：賀利氏德國有限責任兩合公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
