本發明公開了一種可調節多品硅生長速度的熱場坩堝使用方法,包括以下步驟:S1、將硅礦石原料經粉碎后進行清洗工序,清洗完成后,放入干燥機中進行干燥處理,并控制含水率在0.7%以內,將干燥后的硅礦石進行磁選處理,除去硅礦石中夾雜的雜質;S2、在熱場部件中的石墨坩堝的內表面加墊一層石墨紙,使石墨紙將石墨坩堝完全鋪滿,不留縫隙,同時將石英坩堝放置進石墨坩堝內,壓緊石墨紙。本發明能對原料進行嚴格的篩選,從而有助于從源頭提升生產質量,并且能很好的降低硅中的氧氣含量,有助于延長石墨坩堝的使用壽命,并且能根據需要控制硅的生長速度,進而便于工作人員進行控制,有助于提升生產的安全性。
聲明:
“可調節多品硅生長速度的熱場坩堝使用方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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