本發明公開了一種電子元器件用保護膜的制備方法,屬于電子元器件領域,其原料由乙烯?丙烯酸共聚物、硅烷偶聯劑、天然植物膠、草木灰、低品位氧化鋅礦、硬脂酸、沸石粉和脂肪酸聚乙二醇酯組成,然后經過粉碎、熔融反應、制膜或涂覆制得;本發明制得的厚度為10?100μm的薄膜或者厚度為30?100μm的涂覆膜,以200℃×1小時進行處理后的30℃下的拉伸強度達到51MPa以上、伸長率為在5%以下,具有優異的機械性能,可以作為自支撐膜或者復合膜的基膜;其表面電阻值為1×106Ω≤Rs<1×109Ω,非接觸防靜電電壓值達到12kv以上,具有優異的防靜電性能,同時,具有優異的耐酸堿耐高溫低溫性能。
聲明:
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