本發明涉及內含Si?C60的陶瓷的制備方法,包括如下步驟:將硅酸鹽材料與炭黑混合后,依次升溫至500℃~550℃、1400℃~1500℃、1750℃~1850℃,再降至常溫,然后將其破碎并加熱至600℃~700℃,以得到Si?C60粉體材料;將粉石英礦、水與分散劑混合后,依次進行沉淀、過濾、離心、烘干,再加入Si?C60粉體材料,然后進行微波碳化處理,冷卻后加入聚碳硅烷和四氫呋喃得到漿料,然后將聚氨酯海綿制成素坯后進行空氣不熔化處理,得到內含Si?C60的陶瓷。本發明的方法制備的內含Si?C60的陶瓷,具有較優的介電性能和抗彎性能,具有很好的商業前景和科研前景。
聲明:
“內含Si?C60的陶瓷及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)