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    中溫用Ga2Te3基熱電半導體及制備方法

    790   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 14:33:09
    本發明涉及熱電材料領域的中溫用Ga2Te3基熱電半導體及制備方法。其設計要點在于該熱電材料的化學式為(Ga2Te3)(CdTe)x,其中x=0.1~0.4。其制備方法是將單質元素Ga、Cd、Te置于真空石英管內,經950~1150℃合成20~28小時后,將(Ga2Te3)(CdTe)x鑄錠隨爐冷卻至700~900℃后立即在水中淬火,淬火后的(Ga2Te3)(CdTe)x鑄錠經粉碎、球磨,再經放電等離子火花燒結(SPS)制成塊體,燒結溫度為350~550℃,燒結壓力40~60Mpa。燒結后的塊體材料在真空石英管內退火2500~3000小時,退火溫度300~400℃。本發明采用常規的粉末冶金法制備,工藝簡單,成本較低;材料具有環保特性,無噪音,適合作為一種綠色能源材料使用。
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