本發明涉及一種鈦硅物料制備太陽能級多晶硅的方法,屬于鈦硅物料高效資源綜合利用技術領域。將鈦硅物料中的碳脫除至0.1wt.%~2wt.%進行預處理過程;將經預處理的鈦硅物料,采用真空蒸餾精煉除雜工藝除去易揮發的雜質;然后電磁定向凝固分離,獲得3~4N高純硅和雜質較高的鈦硅合金;將得到的3~4N高純硅加入合金化金屬,得到合金化后的高純硅;將得到的合金化后的高純硅酸浸,獲得5~6N的UMG?Si顆粒;將得到的5~6N的UMG?Si顆粒,采用真空蒸餾精煉除雜工藝除去易揮發的雜質;然后電磁定向凝固分離,獲得6N的太陽能級多晶硅。本發明以鈦硅物料為原料,結合現有的硅合金化提純、濕法浸出、定向凝固等技術,制備出太陽能級多晶硅。
聲明:
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