本發明涉及冶金級單晶以及類單晶硅的絨面制備方法,所述方法包括常規制絨過程,所述方法還包括在所述常規制絨過程之前設置有預處理過程。本發明的方法通過在常規制絨過程之前設置預處理過程,添加堿性物質和氧化物的方法,對于雜質含量高,表面狀況復雜的冶金級硅的單晶以及類單晶硅片,獲得的絨面效果均勻,清晰,反射率可從14%降到8%,全片硅片反射率的均勻性可達+/-2%。
聲明:
“冶金級單晶以及類單晶硅的絨面制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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