本發明涉及一種處理物理冶金法單晶硅返工片的方法。其特點是,包括如下步驟:(1)在1#預清洗槽內加入雙氧水溶液并且浸沒過返工片,溶液中雙氧水質量濃度為4%—6%,同時配合超聲清洗返工片,控制超聲功率及頻率范圍:1.8kW,頻率20—40kHz,時間300s—550s;(2)在2#預清洗槽內加入純水并且浸沒過返工片,控制溫度為55℃—65℃,同時配合超聲對返工片進行漂洗,控制超聲功率及頻率范圍:1.8kW,頻率20—40kHz,時間250s—300s。經過試用證明,采用本發明的方法后,返工硅片表面油污、白斑、手印等臟污經過清洗后完全洗凈,降低硅片的報廢比例30%以上。
聲明:
“處理物理冶金法單晶硅返工片的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)