本發明公開了一種50A大電流快恢復二極管的制作方法,包括:提供N型半導體硅材料作為半導體襯底;在N型半導體襯底上摻雜N+型雜質;去除半導體襯底一面的N+型雜質層;在暴露出的N-型半導體材料上再雙雜質摻雜P+型雜質;再采用高溫擴散的方法進行重金屬鉑摻雜;進行第一次掩膜光刻;在鈍化槽中刮涂玻璃粉,高溫燒結成型,完成PN結玻璃鈍化;采用真空濺射法,在硅片兩面制作多層金屬化層;進行第二次掩膜光刻;將硅片分割成獨立的管芯;將芯片與引線組件冶金鍵合在一起;采用燒結的方法將芯片、引線組件與管座冶金鍵合在一起;采用儲能焊,將管帽與底座封焊成型。本發明受環境影響小,工藝成熟、穩定、重復性好,可廣泛用于大電流恢復二極管的大批量生產。
聲明:
“50A大電流快恢復二極管的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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