本發明公開了一種用于控制從補償硅原料形成硅錠過程中的電阻率的方法,本方法配制一用于熔融形成硅熔液的提純的冶金補償硅。提純的冶金補償硅原料提供一P型占大多數的半導體,本方法估算提純的冶金補償硅原料中硼和磷的濃度并加入預定數量的鋁或/和鎵;本方法進一步將硅原料與預定數量的鋁或/和鎵熔化來形成一熔融的硅熔液,進行定向凝固;并且,通過加入鋁或/和鎵來維持該硅錠的電阻率在其整個錠體中具有一致性。在各硅錠中硅原料引起低電阻率的情況下(通常是在0.4Ωcm以下),磷的差額可以隨意加入至鋁或/和鎵中。在低電阻率(通常接近0.2Ωcm或稍低)時,加入磷是必須的。
聲明:
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