本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束造渣熔煉去除多晶硅中雜質硼的方法,將洗凈后的多晶硅料及造渣劑均勻混合形成混合料;再預處理:將混合料放入電子束熔煉爐內的熔煉坩堝中,對熔煉坩堝進行坩堝水冷,預熱電子槍;采用小束流電子束轟擊混合料,混合料熔化后增大電子束至250-500mA進行熔煉,雜質硼在熔煉過程中與堿性造渣劑反應生成氣體揮發而去除,冷卻凝固得到低硼的多晶硅錠。本發明采用了電子束造渣熔煉的技術,結合了造渣除硼和電子束除去揮發性雜質的特點,工藝更加簡單,有效將電子束與造渣工藝結合,工藝條件溫和易于操作,生產周期短,節能降耗,提純效果好,技術穩定,生產效率高。
聲明:
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