本發明是一種利用粉末冶金技術來制備二硅化鉬電熱元件或耐高溫結構件的方法。本發明是將粉體顆粒體積百分比含量為16~64%的Si、0~70%的(Mo1-zWz)Si2、0~40%的Mo3Si、0~50%的(Mo1-zWz)5Si3、以及0~45%的陶瓷和粘土等混合粉料制成胚件,在非氧化環境中進行燒結,其中,燒結溫度高于Si相的熔點,低于上述Mo-Si系的三個化合物及它們的共晶體的熔點,z=0~0.5,表示晶體中W原子數對W、Mo原子總數的比例。Si與(Mo1-zWz)5Si3或Mo3Si反應合成(Mo1-zWz)Si2相,并使晶粒直接結合,所以不但可提高材料的高、中、低溫性能,降低生產成本,而且適應性廣,可滿足不同性能和成本要求的二硅化鉬元件或構件。
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