本發明公開了一種集成電路元件的形成方法,根據一實施例提供一種具有基腳形狀的銅柱工藝,在凸塊下冶金層上采用兩道不同光敏性及厚度的光致抗蝕劑膜。在曝光顯影工藝后,在第一光致抗蝕劑膜中形成具有實質上垂直的側壁的第一開口,并在第二光致抗蝕劑層中形成具有傾斜側壁的第二開口。第二開口的底部直徑大于第二開口的頂部直徑,且第二開口的底部直徑大于第一開口的直徑。接著形成導電層于第一開口及第二開口中,之后移除兩道光致抗蝕劑膜。本發明在不需額外化學或等離子體工藝的情況下,即可輕易定義基腳形狀的尺寸,大幅節省制造成本。
聲明:
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