本發明公開了一種制備Ti5Si3高溫合金膜的方法,屬于冶金技術領域,其工藝步驟為:(1)采用無水氯化鈣為熔鹽電解質,二氧化硅以及二氧化鈦為原料,氧化鈣為助溶劑,形成電沉積系統;(2)以石墨片作為陰極,石墨棒作為陽極,在850℃恒電流/恒電壓條件下電沉積制備Ti5Si3高溫合金膜;(3)本發明可通過周期性加入二氧化硅以及二氧化鈦原料,實現連續制備厚度可調的Ti5Si3高溫合金膜。本發明可在較低溫度(850℃)條件下,實現直接制備超高熔點高溫合金致密膜/鍍層,同時可通過改變電流密度、電沉積時間等參數來實現對薄膜厚度及微觀形貌的控制。本發明方法具有流程短、能耗低等特點。
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