本發明公開了一種低膨脹高導熱無磁Mo-Cu-Ni瓷封合金及其制備方法,該合金配方成分范圍如下,重量百分比:Mo:70~80wt%Cu:15~20wt%Ni:5~10wt%。本發明合金制備方法:采用粉末冶金方法即配料、混料壓坯、預結、燒結制成合金。本發明合金可以滿足電子工業對結構材料的需求,與原用的可伐合金和蒙乃爾合金瓷封材料相比具有:熱膨脹系數更接近95%Al2O3瓷和具有高的導熱率,焊接工藝簡單,機械加工性能好,耐激冷激熱,不易開裂等優點。
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“低膨脹高導熱無磁瓷封合金及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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