本發明涉及一種可腔雙球面鍺單晶生長的方法及模具,屬半導體冶金晶體生長領域。本發明將鍺金屬和鍺單晶籽晶分別裝入公知的單晶生長設備中的模具的上石墨模2與下石墨模3之間和下模3下部的晶種室4內,經一段時間的晶種導引,模塊熱固直接生長出任意曲率半徑的雙球面單晶體。本發明具有工序簡單,材料消耗低,光學質量高,無污染,成本低等優點,適用于生長雙球面或單球面鍺單晶體透鏡毛坯。
聲明:
“可控雙球面鍺單晶生長方法及模具” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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