本發明涉及一種摻雜半導體材料的方法。本質上,所述方法包括將一定量的粒子半導體材料與離子鹽或離子鹽制劑混合。優選地,該粒子半導體材料包含尺寸在1NM至100ΜM范圍內的納米粒子。更優選地,該粒度在50NM至500NM的范圍內。優選的半導體材料是本征和冶金級硅。本發明延伸至包含摻雜的半導體材料以及粘合劑和溶劑的可印刷組合物。本發明還延伸至由具有P和N型性質的可印刷組合物的層形成的半導體裝置。
聲明:
“粒子半導體材料的摻雜” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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