本發明披露了由升級的冶金級硅形成太陽能電池器件,其已接受至少一種缺陷設計工藝,并包括低接觸電阻電路徑??狗瓷渫繉有纬捎诎l射極層上而背接觸形成于本體硅襯底的背面上。該光伏器件可以在可避免先前缺陷設計工藝逆轉的足夠低的溫度下燒制形成背面電場。該工藝進一步在抗反射涂層中形成開口并在該涂層中的開口上形成低接觸電阻金屬層,如鎳層。該工藝可以對低接觸電阻金屬層退火而形成n-摻雜部分并完成n-摻雜層的電傳導路徑。這種低溫金屬化(例如,
聲明:
“使用基于低等級原料材料的晶體硅的太陽能電池及制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)