一種粉粒在冷等離子體中的純化,采用冷等離子體提純粉體材料,包括半導體和陶瓷粉料。此技術主要用于晶粒和粉粒尺寸在50μm至150μm的硅由純度為99%提高到99.99%,是我們所發現的冷等離子體“冶金效應”的具體應用。本發明采用立式反應室結構以增加粉粒行程;采用氣體反吹和有效抽氣速率(KS)的調節使粉粒下降速度減小又達到收集的目的;應用振動拋撒防止粉粒成團;反應氣體分配器使氣體均勻上吹。這些措施使提純速率提高,沉降時間加長,一次沉降所去除的雜質量增加,當放電功率為1000W,每小時能將400克、純度為99%的硅粉提純至99.99%。
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“粉粒在冷等離子體中的純化” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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