本發明涉及一種鐵硅磁性薄膜及其制備方法,其成分質量百分比含量為:2.0~10.0wt.%Si,以及余量的Fe。其制備方法包含:將分別含有鐵、硅元素的材料以粉末冶金的方法制備合金靶材;選擇單晶硅作為基底材料;將基底材料加熱至20?200℃之間;進行磁場真空蒸鍍,真空蒸鍍在保護氣中進行,所述真空蒸鍍的參數為,背底真空度高于7×10?5Pa,靶材加熱功率為40?80W,靶基距為45?80mm,保護氣體氣壓為0.3~2Pa,磁場通過高溫磁鐵產生,即獲得鐵硅磁性薄膜。與現有技術相比,本發明制備得到的鐵硅磁性薄膜表面均勻,粗糙度低,具有優異的軟磁性能,矯頑力低于2Oe,飽和磁感應強度高于9000Oe,且其制備方法的工藝可操作性強,制造成本低,對于磁性薄膜的應用發展前景有重要應用及意義。
聲明:
“鐵硅磁性薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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