本發明涉及一種高純鉭靶材的制備方法,屬于難熔金屬制備特種技術領域。所。所述方法通過:以五氟化鉭和氫氣為反應原料,或五氯化鉭和氫氣為反應原料進行化學氣相沉積,線切割加工去基體,得到純度為99.999%以上的高純鉭板;將所述高純鉭板進行軋制,得到軋制坯料;將所述軋制坯料在真空或惰性氣體氣氛保護下進行熱處理再結晶得到鉭靶坯料,經過機械加工,將加工后的鉭靶坯料與背板焊接得高純鉭靶材。所述方法制備出的鉭靶材純度高達99.999%以上,較傳統工藝粉末冶金制備出的鉭靶材相比純度更高,有效避免了濺射過程中鉭靶材在電子轟擊作用下內部雜質元素被轉移到終端產品上,有效提高了終端產品的穩定性。
聲明:
“高純鉭靶材的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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