本發明公布了一種鎘離子和可見光協同促進半導體硫化礦生物浸出的方法,屬于生物冶金技術領域。在外加不超過100mg/L鎘離子以及可見光存在的條件下利用嗜酸氧化亞鐵硫桿菌浸出半導體硫化礦,如黃銅礦,能顯著提高黃銅礦生物浸出效率。在可見光與不超過100mg/L鎘離子聯合作用下黃銅礦浸出率比黑暗條件下不添加鎘離子的對照組浸出率提高了7.0?14.7%。本發明的方法能夠顯著提高半導體硫化礦的浸出率,使得生物浸出技術在資源加工領域上的應用具有重大意義。
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