在第一方面中,一種方法包括淀積第一含金屬層(16)到溝槽結構中,該第一含金屬層(16)接觸半導體結構(10)的金屬化區域(12)。該方法進一步包括在抗蝕劑中對第一含金屬層(16)圖案化至少一個開口。該開口應該和溝槽結構對準。在至少一個開口內至少形成襯墊含金屬層(20)(優選地通過電鍍處理)。隨后蝕刻該抗蝕劑(18)和抗蝕劑(18)下面的第一金屬層(16)(在實施例中,以第二金屬層(20)作為掩模)。該方法包括在蝕刻處理之后將焊料材料(22)流到溝槽中和流到襯墊含金屬層(20)上。該結構是受控熔塌芯片連接(C4)結構,其包括在抗蝕劑圖案中形成的至少一個電鍍金屬層以形成至少一個球限制冶金層。該結構進一步包括沒有底切的下金屬層。
聲明:
“形成焊料連接的方法及其結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)