本發明涉及一種雙異質結光探測器的制備方法,包括:(a)對半絕緣半透明襯底進行清洗;(b)在所述襯底上生長底電極層;(c)在所述底電極層上生長第一MoS2層;(d)在所述第一MoS2層上生長雜化鈣鈦礦層;(e)在所述雜化鈣鈦礦層上生長第二MoS2層;(f)在所述第二MoS2層上生長頂電極。本發明雜化鈣鈦礦雙異質結可以使二維材料溝道的背景載流子的完全耗盡,顯著降低了器件暗電流,提高器件在弱光下的探測性能;制備工藝簡單,生產成本低,無需昂貴的儀器設備等優點;制備的光電探測器可在零柵壓、低源漏偏壓下工作,具有優異的低功耗特性,且結構簡單、效率高、響應快、工作穩定、使用壽命長。
聲明:
“雙異質結光探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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