本發明屬于光電探測器技術領域,尤其涉及一種量子點光電探測器,包括相對設置的N型半導體層和P型半導體層,以及設置在所述N型半導體層和所述P型半導體層之間的量子點層,所述P型半導體層包括復合金屬氧化物,所述復合金屬氧化物的分子式為An?1BnO3n?3,其中,A選自金屬元素中的任意一種,B選自過渡金屬元素中的任意一種,n≥3;所述N型半導體層包括鈣鈦礦材料。本發明光電探測器包括鈣鈦礦材料、量子點和復合金屬氧化物的P/N結構量子點光電探測器,光響應范圍廣,可檢測200~800nm波長的光信號,靈敏度高,且無需外加電場驅動即可實現對光信號的檢測,應用方便靈活。
聲明:
“量子點光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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