本發明公開了一種無機CsPbxSn1?x(BryI1?y)3納米線的制備方法及其在光電探測器中的應用。其步驟是,室溫下,在導電玻璃基底表面依次將碘化鉛DMF溶液旋涂成膜,然后退火獲得PbI2薄膜;再將其小心放置于碘化銫和碘化亞錫混合的無水甲醇溶液的封閉培養皿中,放置3~6小時,取出用異丙醇清洗風干;再繼續將其放置于有溴化銫的無水甲醇溶液的培養皿中,放置0~120分鐘,取出清洗風干并退火;再在其上旋涂一層PMMA的氯苯溶液,然后再退火,獲得所述的無機CsPbxSn1?x(BryI1?y)3納米線。本制備方法操作簡單,成本低廉,穩定性好;性能參數與全鉛的鈣鈦礦納米線光電探測器的性能相近。本發明成功將Sn元素部分取代Pb元素,減少了鈣鈦礦的毒性,為鈣鈦礦光電器件的發展帶來了深遠的影響。
聲明:
“無機CsPbxSn1-x(BryI1-y)3納米線的制備方法及其光電探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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