本發明公開了一種嵌套光柵結構的雙極性自驅動偏振光探測器,屬于光電探測領域。所述探測器為嵌套光柵結構,包括二氧化硅/硅襯底、設置于襯底上的金屬納米線光柵陣列,包覆于金屬納米線光柵陣列外的半導體層以及包覆于半導體層外的透明導電層。該探測器可實現正交的TE和TM偏振光照下器件在零偏壓下獲得等大反向的信號電流,從而有效規避掉背景自然光對信號光的干擾,大幅提升偏振探測器的探測能力。另外,針對該納米級探測器,在制備過程中,為盡可能避免由于尺寸誤差所帶來的光學性能及電學性能的變化,本申請在利用磁控濺射法在氧化錫層外制備導電層時,先通過原子層沉積法在鈣鈦礦層外生長一層氧化錫作為犧牲層。
聲明:
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