本發明適用于光電領域,提供了一種光電探測器及其制備方法,該光電探測器包括:基底層;以及依次層疊設置在所述基底層上的鈣鈦礦薄膜層、半導體等離子體層、NaYF4中間層、上轉換層和電極層;所述上轉換層為以NaYF4:Yb3+,Tm3+為殼,包覆NaYF4:Yb3+,Er3+制得的上轉換納米顆粒層。該光電探測器對于980nm近紅外光的窄帶的響應率和光電探測率最高可達0.331A/W,4.23×1010 Jones,外量子效率為41.92%,并且具有良好的穩定性,經過100天保存后,光電探測率仍然可以保持在初始值的70%。
聲明:
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