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在鈦金屬表面原位生長介電薄膜的制備方法

691 編輯：管理員來源：中冶有色網

2023-03-18 14:51:36

本發明公開了一種在鈦金屬表面原位生長介電薄膜及其制備方法,包括如下步驟:配置電解液采用氫氧化鋇或氫氧化鍶或兩者的混合液,其中氫氧化鋇溶液的摩爾濃度在0~0.6mol/L之間,氫氧化鍶溶液的摩爾濃度在0~0.3mol/L之間;采用直流脈沖電源,電流密度為100~500mA/cm2,脈沖頻率為50~250Hz,占空比為60%~95%,處理時間為6~60min;將鈦金屬基體連接到陽極,反應時控制電解液的溫度保持在50～60℃之間;反應后,取下被處理的鈦金屬,用蒸餾水沖洗,烘干。本發明工序簡單、成膜速度快,薄膜與基體Ti的結合為冶金結合,薄膜具有優異的介電性能。

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“在鈦金屬表面原位生長介電薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。

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