本發明為一種再結晶法制備鉛鹵鈣鈦礦納米線方法,該方法通過在一步法制備APbI3鈣鈦礦的旋涂過程中滴加不良溶劑以及極性非質子溶劑制備APbI3鈦礦納米線。本發明提供的制備方法具有簡單易操作,節省反應時間等優勢。本發明通過一步法制備的一維鈣鈦礦納米晶薄膜長度均勻,覆蓋度好,能為光探測器、激光器提供一種備選材料。鈣鈦礦納米線相對于體鈣鈦礦而言,有更好的光傳導能力,能用于光傳導器以及激光器等器件。
聲明:
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