權利要求
1.利用多晶硅切割廢料在低溫下制備SiO2-Si3N4復合陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將多晶硅切割廢料純化處理，得到純化后的多晶硅切割廢料，其中Si純度為2N級別；
(2)多晶硅切割廢料的氮化處理：
在步驟(1)得到純化后的多晶硅切割廢料中加入稀釋劑，球磨混合后，進行氣氛氮化，氮化反應后得到氮化產物；
(3)SiO2-Si3N4復合陶瓷的氨化燒制
將步驟(2)中的氮化產物用研缽研磨，添加一定比例的SiO2、C、燒結助劑，球磨至物料混勻，烘干物料，冷等靜壓成型得到氨化前樣品；在氣氛管式爐設備中通入氨化氣體后，程序升溫至氨化反應的溫度，恒溫反應一段時間，氨化反應結束后，程序降溫到室溫，得到SiO2-Si3N4復合陶瓷。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)中，多晶硅切割廢料的純化處理過程為：多晶硅切割廢料經烘干、粉碎、沖洗雜質、再次烘干、研磨、過篩得到粉體的過程。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)中，所述稀釋劑為α-Si3N4或β-Si3N4，添加量不超過純化后的多晶硅切割廢料質量的20％。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)中，所述氮化反應中，氮化氣體為氮氣或氮氫混合氣中的一種，其中，氮氫混合氣中，氮氣和氫氣的體積比在75:25-95:5之間。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)中，所述氮化反應中，氮化設備采用程序控溫的氣氛管式爐，確保爐內溫度以1-5℃/min的速度升溫至1200-1450℃，然后恒溫0.5-2.5h。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(3)中，氮化產物用研缽研磨至300目以下。
7.如權利要求1所述的方法
聲明：
“利用多晶硅切割廢料在低溫下制備SiO2-Si3N4復合陶瓷的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：江蘇大學
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2025年07月23日 ~ 26日 
