本發明提供了基于真空分離式p?n結n型變摻雜GaN基陽極的太陽能電池,包括GaAs光電陰極、真空腔和陽極,所述陽極采用GaN基材料,所述陽極從最表層到靠近真空腔依次為襯底層、AlN緩沖層、n型變摻雜GaN接收層,其中AlN緩沖層生長在襯底層上;n型變摻雜GaN基接收層生長在AlN緩沖層上。本發明采用n型變摻雜GaN基接收層,在陽極內部形成一個內建電場,增大了電子在陽極內部的輸運速率,提高了電子收集能力,抑制陽極材料的噪聲電流,實現的真空分離式p?n結太陽能電池較高的能量轉換。
聲明:
“基于真空分離式p-n結n型變摻雜GaN基陽極的太陽能電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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