本發明公開了一種在石墨模板上大面積沉積碳化硅薄膜的制備方法,首先將氮化硅粉末和碳化硅粉末按照適當比例混合,添加無水乙醇在研砵中研磨,經清洗、干燥后將粉體裝入匣缽中真空燒結,燒結溫度為1900℃以上,保溫時間為1h。本發明方法涉及的條件可控、操作簡便、反應條件溫和,所得碳化硅薄膜面積大且具有優異的穩定性,使得石墨模具壽命大大提高,為玻璃加熱石墨模板改性技術提供了一條新途徑,具有重要的經濟和工程價值。
聲明:
“在石墨模板上大面積沉積碳化硅薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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