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    芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊及制作方法

    1124   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:00:02
    本發明涉及一種芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊,模塊由上、下碳化硅MOSFET芯片,上、下DBC基板,導電墊塊,納米銀焊膏,高溫焊料,功率端子,信號端子,硅凝膠和環氧樹脂組成。本發明通過納米銀焊膏將碳化硅MOSFET芯片分別焊接在上下DBC基板的覆銅層,同時對芯片表面電極做了鍍金處理,通過導電墊塊實現芯片表面電極與外部的電氣連接,利用高溫焊料將功率端子和信號端子從DBC基板的覆銅層引出。本發明用墊塊完全取代了模塊中的鍵合線,減小了寄生電感,提高了模塊的可靠性。同時通過將芯片分別焊接在上、下DBC基板,實現雙面散熱的同時減小了芯片之間的熱耦合效應,降低了模塊的整體熱阻。
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