一種基于電子俘獲誘導空穴注入形成光增益的CH3NH3PbI3鈣鈦礦光電器件及其制備方法,屬于光電探測技術領域。從下至上,依次由具有ITO導電薄膜的玻璃襯底、PEDOT?PSS空穴傳輸層、CH3NH3PbI3鈣鈦礦感光薄膜、PCBM電子萃取層、PCBM:F4?TCNQ混合材料電子俘獲層、BCP修飾層、Au電極構成。鈣鈦礦感光層吸光后產生的光生電子流向器件陰極,并被F4?TCNQ提供的深電子陷阱所束縛,導致陰極附近的PCBM能級向下彎曲,并在PCBM中形成空穴勢壘尖峰,陰極空穴在較小的反向偏壓下可以隧穿通過該勢壘尖峰并注入器件,最終形成空穴增益,大幅提高探測器的光電流密度。
聲明:
“基于電子俘獲誘導空穴注入形成光增益的鈣鈦礦光電器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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