本發明涉及硼鋁源一次全擴散生產KP整流芯片的方法,包括硅片清洗、擴散、氧化、一次光刻、磷擴、割圓、燒結、蒸鋁、二次光刻、臺面腐蝕,其特征在于,所述擴散工序為一次全擴散,具體包括以下步驟:硼源、鋁源制備和一次全擴散,擴散時保證石英閉管中硼源片和鋁源片在待擴硅片中分布均勻,當表面濃度和結深達標時擴散完成。與現有技術相比,本發明的有益效果是:在PN結的生產制造過程中,采用硼鋁兩種元素擴散源,一次高溫擴散成型,相同規格的大功率高壓整流芯片產品對比,電壓提高了800V~1000V,產品使用壽命多出500小時以上,減少了磷擴時間4~5小時,提高了擴散效率,硅單晶片的損傷減少,提高了成品率。
聲明:
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