本發明提供了一種鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法,涉及自旋電子學材料制備技術領域,本發明所述的制備方法首先采用真空封管工藝,在正的X蒸氣壓下合成CuCr2X4粉末材料,將獲得的粉末材料與適量X粉末混合后低溫氬氣氣氛燒結,制成富X的CuCr2X4靶材;進而采用激光脈沖沉積技術,以高能脈沖激光轟擊富X的CuCr2X4靶材,在真空腔中產生一定的X蒸氣分壓,促使CuCr2X4薄膜在高溫襯底上成為尖晶石相,以實現鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料的穩定制備。本發明制備的鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料結晶度高,在室溫下(300K)具有鐵磁性,飽和磁化強度為150?250emu/cm3,尺寸滿足自旋電子器件需求。
聲明:
“鉻基銅尖晶石硫族化物薄膜材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)