本發明提供了一種先驅體加入納米Si粉制備凈SiC陶瓷的方法。所述方法包括以一定質量比的SiC陶瓷粉,納米Si粉以及SiC陶瓷先驅體通過共混無壓燒結進行制備。傳統的碳化硅陶瓷材料采用加壓成型燒結或熱壓燒結進行,對設備的要求較高,工藝復雜成本昂貴,且加工性能差。相比較傳統碳化硅陶瓷制備方法,采用先驅體作為粘結劑制備SiC陶瓷得到了廣泛的關注,此方法工藝簡單,燒結溫度低,對設備要求低,成本低廉;但是先驅體在裂解過程后得到的產物為非化學計量比的SiC非晶,一般情況下會有較多的裂解碳殘留,對材料的高溫性能影響較大。針對這個缺點,本方法通過在體系中加入納米Si粉與裂解碳進行反應生成SiC,最終得到了符合化學計量比的SiC陶瓷。
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